在國際金融危機和“硅周期”的雙重打擊下，中國集成電路制造業在2008年出現了多年來的首次負增長。在前所未有的困難局面下，中國集成電路芯片制造業要保增長、求發展，堅持技術創新是必然選擇。

    依靠新工藝降低成本

    2008年，中國集成電路芯片制造業產業規模比上年下滑1.3%，其衰退幅度甚至大于中國集成電路產業整體下滑的幅度。從往年的統計數據可以看到，2007年中國集成電路芯片制造業的增幅為23%，2006年增幅為32.5%，巨大的反差已足以說明芯片制造業所面臨的困難有多大。

    與2001年因網絡泡沫破裂而導致的半導體產業急劇下滑相比，2008年全球半導體產業的衰退幅度雖然不像當年那樣大，但其波及的產業領域更廣，并且持續的時間還難以預測。和艦科技(蘇州)有限公司副總裁張懷竹在接受《中國電子報》記者采訪時表示，和艦科技秉承的策略是審慎利用手頭現金，以非最先進制程作為基本工藝平臺，使設備的投資應用效果最大化，不盲目追求工藝技術的競賽；同時，也積極尋找合適的策略合作伙伴，投資環保節能產業，如政策大力支持的太陽能和LED綠色照明產業。

    中國的集成電路制造業是從2000年左右開始加速發展的，有很多企業并沒有經受過2001年大幅衰退的洗禮，中國企業還需要在逆境中學習，讓自己更堅韌、更鋒利。所謂更堅韌，就是要降低運營成本，增強企業的生存能力；所謂更鋒利，就是要提升企業的技術水平和市場競爭力。以上兩者都離不開自主創新，技術水平的提升自不待言，即便是成本的降低，也不是僅僅依靠裁員就能實現的，而是需要優化工藝技術，從而節省原材料、縮短生產周期。

    在第三屆(2008年度)中國半導體創新產品和技術評選中獲獎的“大屏幕LCD驅動電路模塊工藝”就是一個通過技術創新降低成本的實例。由上海華虹NEC電子有限公司推出的該工藝是我國第一個成功自主開發并實現量產的40V高壓驅動電路技術，其最引人注目的優點是將同類器件通常所需的23層掩膜縮減為只需16層掩膜，這就意味著在生產工藝中減少了光刻次數，同時也減少了與光刻相關的一系列沉積、刻蝕、CMP（化學機械拋光）以及清洗的工序，因此，這項創新將極大地降低產品成本，同時提高終端產品的性價比。此外，工序的減少也會縮短產品的生產周期，加快產品上市的進度，這也是其客戶最樂于看到的。

    技術創新應緊貼市場

    技術創新不能脫離市場的需求，背離市場需求的創新很可能造成資源的浪費。

    中芯國際首席執行官張汝京曾表示，目前中國的集成電路制造能力還相對較弱，尚不能滿足國內總需求量的20%，中芯國際在致力于提升產能的同時，也通過與國內的設計公司、科研機構、大專院校及政府部門充分合作，提高企業的技術水平，以滿足市場需求。中芯國際已經量產從0.35微米到90納米的邏輯產品(包括一般邏輯產品和低漏電、低電壓、高速邏輯產品)、數模混合及射頻產品，正在加速進行65納米產品認證和45納米產品研發。

    目前，中國的半導體制造企業無論規模還是技術實力都很難與國際大廠進行硬碰硬的競爭，因此，差異化的市場理應成為國內企業施展拳腳的空間。華虹NEC市場副總裁高峰在接受《中國電子報》記者采訪時表示：“針對具有成長潛力的市場領域，結合華虹NEC的技術優勢所在，我們將持續加大對特色工藝的研發投入。華虹NEC在2008年成功開發并量產了0.13微米嵌入式閃存和0.35微米BCD工藝，并已啟動了0.25-0.18微米BCD、高壓功率MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)以及射頻等高端工藝項目。2009年，我們將進一步完善嵌入式非易失性存儲器、模擬/電源管理技術平臺，同時提高分立器件制造技術，積極爭取更多的分立器件代工市場份額。”